Chen, Hsiang ; Kao, Chyuan-Haur ; Lu, Tien-Chang ; Shei, Shih-Chang
Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 1, s. 195-205
Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
<sygn. PWr A3481II> ; click here to follow the link ; click here to follow the link
Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 41, 2011 ; Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 1 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
Jan 16, 2019
Dec 11, 2018
82
96
https://www.dbc.wroc.pl/publication/94798
| Edition name | Date |
|---|---|
| Optical and electrical characterization of reverse bias luminescence in InGaN light emitting diodes | Jan 16, 2019 |
Wośko, Mateusz Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Veleschuk, Vitaly Vlasenko, Alexander Kisselyuk, Maxim Vlasenko, Zoya Khmil, Denis Borshch, Vladimir Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Goldys, E.M. Drozdowicz-Tomsia, K. Zhu, G. Yu, H. Jinjun, S. Motlan, M. Godlewski, M. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Stefaniak, Tadeusz Gaj, Miron. Redakcja
Dubik, Bogusława Gaj, Miron. Redakcja
Stadnik, Bohumil Gaj, Miron. Redakcja