Chen, Hsiang ; Kao, Chyuan-Haur ; Lu, Tien-Chang ; Shei, Shih-Chang
Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 1, s. 195-205
Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść
Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 41, 2011 ; Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 1 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
16 sty 2019
11 gru 2018
51
45
https://www.dbc.wroc.pl/publication/94798
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Optical and electrical characterization of reverse bias luminescence in InGaN light emitting diodes | 16 sty 2019 |
Wośko, Mateusz Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Veleschuk, Vitaly Vlasenko, Alexander Kisselyuk, Maxim Vlasenko, Zoya Khmil, Denis Borshch, Vladimir Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Szukalski, Jan Gaj, Miron. Redakcja
Paczóski, Jan Klamer, Bogna Gaj, Miron. Redakcja
Jasny, Jan Płocharski, Stanislaw Gaj, Miron. Redakcja
Bilewicz, Zygmunt Gaj, Miron. Redakcja
Bogdanienko-Jakubicz, Anna Hałaciński, Bogumił Gaj, Miron. Redakcja