Obiekt

Tytuł: Optical properties of SiO2/TiO2 thin layers prepared by sol–gel method

Autor:

Nocuń, Marek ; Kwaśny, Sławomir ; Zontek, Joanna

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja

Opis:

Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 4, s. 979-987

Abstrakt:

In this investigation, SiO2/TiO2 thin films were prepared on glass and quartz glass substrates by dip coating sol–gel technique. The films were calcinated at 500 °C for 1 hour. Thickness of the films was estimated by ellipsometric measurements and it was in the range from about 30 nm to 700 nm. Refractive index of the films was also established. Chemical composition of the samples was studied by photoelectron spectroscopy. Transmittances of the samples were characterized using UV–VIS spectrophotometer. Subsequently, band gap energy (Eg) was estimated for these films. It was found that band gap energy increases with thickness of the films and their value depends on sodium diffusing from glass substrate.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2011

Typ zasobu:

artykuł

Identyfikator zasobu:

oai:dbc.wroc.pl:58218

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 41, 2011 ; Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 4 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

21 sty 2019

Data dodania obiektu:

21 sty 2019

Liczba wyświetleń treści obiektu:

121

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://www.dbc.wroc.pl/publication/96528

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Podobne

×

Cytowanie

Styl cytowania:

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji