Tytuł:

Procesy rekombinacji promienistej i niepromienistej w półprzewodnikach III-V rozrzedzonych azotem

Tytuł odmienny:

Radiative and nouradiative recombination processes in diluted nitride III-V semicondutors

Autor:

Latkowska-Baranowska, Magdalena

Współtwórca:

Kudrawiec, Robert. Promotor

Temat i słowa kluczowe:

półprzewodniki rozrzedzone azotem ; rekombinacja promienista ; rekombinacja niepromienista ; mikrofotoluminescencja ; bezkontaktowe elektroodbicie

Abstrakt:

Rozprawa doktorska traktuje o wpływie azotu w półprzewodnikach III-V na strukturę pasmową nowopowstałego stopu oraz udowadnia, że głównym mechanizmem gaszenia PL w półprzewodnikach rozrzedzonych azotem jest dysocjacja ekscytonów zlokalizowanych na defektach punktowych

Wydawca:

Politechnika Wrocławska

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2013

Typ zasobu:

rozprawa doktorska

Format:

application/pdf

Źródło:

<sygn. PWr 372265> ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Powiązania:

Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Własność autora