Title:

Badanie warunków osadzania warstw i heterostruktur AlₓGa₁₋ₓAs/GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych

Creator:

Ściana, Beata

Contributor:

Mulak, Andrzej. Promotor

Subject and Keywords:

związki półprzewodnikowe(Al,Ga)As ; heteroepitaksja ; osadzanie ; MOVPE ; struktury niskowymiarowe ; przyrządy optoelektroniczne ; przyrządy mikrofalowe

Publisher:

Politechnika Wrocławska

Place of publication:

Wrocław

Date:

2000

Resource Type:

rozprawa doktorska

Language:

pol

Relation:

Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki

Rights:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Rights Owner:

Własność autora

Location:

Politechnika Wrocławska

Coverage:

Opracowanie i udostępnienie materiałów przeprowadzono w ramach umowy nr BIBL/SP/0020/2024/02 ze środków Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego w ramach programu Społeczna Odpowiedzialność Nauki II ; Digitalizację materiałów przeprowadzono w ramach umowy nr BIBL/SP/0020/2024/02 ze środków Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego w ramach programu Społeczna Odpowiedzialność Nauki II