Title:

Badanie warunków osadzania heterostruktur (Ga, In) As/GaAs przeznaczonych do wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych

Creator:

Radziewicz, Damian

Contributor:

Licznerski, Benedykt. Promotor

Subject and Keywords:

półprzewodniki ; arsenek galowo-indowy ; epitaksja ; osadzanie ; MOVPE ; studnia kwantowa ; heterostruktura ; warstwa ; diody ; detektory ; fotoodbiorniki

Publisher:

Politechnika Wrocławska

Place of publication:

Wrocław

Date:

2001

Resource Type:

rozprawa doktorska

Language:

pol

Relation:

Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki

Rights:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Access Rights:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Rights Owner:

Własność autora

Location:

Politechnika Wrocławska

Coverage:

Digitalizację materiałów przeprowadzono w ramach umowy nr BIBL/SP/0020/2024/02 ze środków Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego w ramach programu Społeczna Odpowiedzialność Nauki II ; Opracowanie i udostępnienie materiałów przeprowadzono w ramach umowy nr BIBL/SP/0020/2024/02 ze środków Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego w ramach programu Społeczna Odpowiedzialność Nauki II