@misc{Radziewicz_Damian_Badanie_2001,
 author={Radziewicz, Damian},
 contributor={Licznerski, Benedykt. Promotor},
 year={2001},
 rights={Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)},
 publisher={Politechnika Wrocławska},
 language={pol},
 type={rozprawa doktorska},
 title={Badanie warunków osadzania heterostruktur (Ga, In) As/GaAs przeznaczonych do wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych},
 keywords={półprzewodniki, arsenek galowo-indowy, epitaksja, osadzanie, MOVPE, studnia kwantowa, heterostruktura, warstwa, diody, detektory, fotoodbiorniki},
}